Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236  •  Встречается под наим.: MSA1162GT1OS