Характеристики
NE3512S02-T1C-A
— HJ-FET NCH 13.5DB S02
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: NEC
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: HFET
•
Частота: 12GHz
•
Усиление: 13.5dB
•
Номинальное напряжение: 4V
•
Номинал тока: 70mA
•
Коэффициент шума: 0.35dB
•
Ток - тестовый: 10mA
•
Напряжение - тестовое: 2V
•
Корпус: S02
Архив документации
NE3512S02-T1C-A
- Hetero Junction Field Effect Transistor
PG10592EJ01V0DS.pdf
на сайте necel.com
Поставщики «NE3512S02-T1C-A»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
NE3512S02-T1C-A
(SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Подробнее
)
Rochester Electronics, LLC
0.585$
4938
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
NE3512S02-T1C-A
(RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
Подробнее
)
CEL
0.585$
4901
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
NE3512S02-T1C-A
(
Подробнее
)
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
0.6$
5500
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
NE3512S02-T1C-A
(22+; год: 23384)
NEC
4$
–
ООО "ЕК-Компонент"
NE3512S02-T1C-A
Renesas Electronics
–
1111
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
NE3512S02-T1C-A
(yпаковка: TO-50; год: 22+)
NEC
–
45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
NE3512S02-T1C-A
(yпаковка: 4-SMD,Flat Leads; год: 22+)
Rochester
–
55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
NE3512S02-T1C-A
(HJ-FET NCH 13.5DB S02
Подробнее
)
CEL
–
131139
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
NE3512S02-T1C-A
(год: 11+)
NEC
–
4476
ООО "Интегральные схемы"
NE3512S02-T1C-A
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
NE3512S02-T1C-A
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
NE3512S02-T1C-A
(Оригинальный и наличный и новый)
RENESAS
–
6482