Характеристики

NE3512S02-T1C-A — HJ-FET NCH 13.5DB S02

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 12GHz  •  Усиление: 13.5dB  •  Номинальное напряжение: 4V  •  Номинал тока: 70mA  •  Коэффициент шума: 0.35dB  •  Ток - тестовый: 10mA  •  Напряжение - тестовое: 2V  •  Корпус: S02
Архив документации

Поставщики «NE3512S02-T1C-A»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDNE3512S02-T1C-A (SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC0.585$4938
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDNE3512S02-T1C-A (RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET Подробнее)CEL0.585$4901
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNE3512S02-T1C-A (Подробнее)Intersil (Renesas Electronics Corporation)0.6$5500
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.NE3512S02-T1C-A (22+; год: 23384)NEC4$
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!NE3512S02-T1C-ARenesas Electronics1111
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1C-A (yпаковка: TO-50; год: 22+)NEC45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1C-A (yпаковка: 4-SMD,Flat Leads; год: 22+)Rochester55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NE3512S02-T1C-A (HJ-FET NCH 13.5DB S02 Подробнее)CEL131139
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDNE3512S02-T1C-A (год: 11+)NEC4476
ООО "Интегральные схемы"NE3512S02-T1C-Aот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NE3512S02-T1C-Aот 7 дней
Icseek Global LimitedNE3512S02-T1C-A (Оригинальный и наличный и новый)RENESAS6482