Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

NE3512S02-T1C-A — HJ-FET NCH 13.5DB S02

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 12GHz  •  Усиление: 13.5dB  •  Номинальное напряжение: 4V  •  Номинал тока: 70mA  •  Коэффициент шума: 0.35dB  •  Ток - тестовый: 10mA  •  Напряжение - тестовое: 2V  •  Корпус: S02
Архив документации

   


Производители
Города
    Версия для печати
    Страница с результатами, оптимизированная для печати.
    Бросить клич!
    Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

    Поставщики «NE3512S02-T1C-A»

    ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
    ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!NE3512S02-T1C-ARenesas Electronics 1111
    ООО "Интегральные схемы"NE3512S02-T1C-A от 7 дней
    ООО "АСПЕКТ"NE3512S02-T1C-A от 7 дней


    «NE3512S02-T1C-A» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
    Поставщиков: 2172 отечественных и 776 зарубежных
    		 Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
    Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
    		 Распечатать