Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

NSBC114TDXV6T1 — TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: SOT-563  •  Встречается под наим.: NSBC114TDXV6TOSCT
Архив документации
  • NSBC114TDXV6T1 - Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
  • NSBC114EDXV6-D.PDF на сайте onsemi.com
Возможные аналогиDDC114TH   Вся информация »

   


Наименования
Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «NSBC114TDXV6T1»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NSBC114TDXV6T1G
микросхема интегральная электронная TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
ON Semiconductor 36413
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NSBC114TDXV6T1
микросхема интегральная электронная TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
ON Semiconductor 36672
ООО "АСПЕКТ"NSBC114TDXV6T1G от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NSBC114TDXV6T1 от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"NSBC114TDXV6T1G от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"NSBC114TDXV6T1 от 7 дней


«NSBC114TDXV6T1» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать