Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

NTD6600N-1G — MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Снят с производства - 01 oct 2008  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.28W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)
Архив документации

   


Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «NTD6600N-1G»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!NTD6600N-1G
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 100V 12A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
ON Semiconductor 38939
ООО "АСПЕКТ"NTD6600N-1G от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"NTD6600N-1G от 7 дней


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED0  0 Скрыть
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic0  0 Скрыть
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd0  0 Скрыть
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited0  0 Скрыть
Icseek Global Limited0  0 Скрыть
ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«NTD6600N-1G» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать