Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 1mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 350mW  •  Модуляция частот: 220MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236  •  Встречается под наим.: PBSS4160K T/R, PBSS4160K T/R-ND