Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/nxp/6167.gif) Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 1mA, 100mA • Ток коллектора (макс): 1A • Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V • Мощность макcимальная: 350mW • Модуляция частот: 220MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 • Встречается под наим.: PBSS4160K T/R, PBSS4160K T/R-ND |