Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/3dmodels/41893.gif) Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 2.2K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA • Мощность макcимальная: 250mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-101, SOT-883 • Встречается под наим.: PDTC123YM T/R, PDTC123YM T/R-ND |