Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 300mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Модуляция частот: 300MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: PMBT5401 T/R, PMBT5401 T/R-ND