Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 250mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini  •  Встречается под наим.: SI1021R-T1-E3TR