Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/vishay/124075.gif) Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23pF @ 25V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 250mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini • Встречается под наим.: SI1021R-T1-E3TR |