Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 12V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 6V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 750mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: SI2333DS-T1-E3DKR