Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 3.2W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 6-TSOP  •  Встречается под наим.: SI3446ADV-T1-E3DKR