Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 950mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 50V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 3.2W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 6-TSOP  •  Встречается под наим.: SI3475DV-T1-E3TR