Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/3dmodels/124181.gif) Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 4.5V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8500pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 1.6W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width) • Встречается под наим.: SI4378DY-T1-E3CT |