Характеристики

SI4630DY-T1-E3 — MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 25V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 161nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6670pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 7.8W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)  •  Встречается под наим.: SI4630DY-T1-E3CT
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI4630DY-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
SI4630DY-T1-E3 (MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Подробнее)Vishay Siliconix1.728$2445
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
SI4630DY-T1-E3 (Оригинальный и наличный и новый)VISHAY–5249
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SI4630DY-T1-E3Vishay–1066
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI4630DY-T1-E3 (yпаковка: SOP8/3.9MM; год: 22+)Vishay–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI4630DY-T1-E3 (MOSFET N-CH 25V 40A 8SO Подробнее)Vishay Siliconix–143397
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SI4630DY-T1-E3 (год: 1736+)VISHAY–101
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SI4630DY-T1-E3 (22+; год: 1100)VISHAY8$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI4630DY-T1-E3––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI4630DY-T1-E3––от 7 дней