Характеристики

SI5476DU-T1-E3 — MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 30V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 31W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PowerPAK® ChipFET Single  •  Встречается под наим.: SI5476DU-T1-E3DKR
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «SI5476DU-T1-E3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SI5476DU-T1-E3 (yпаковка: QFN; год: 22+)VISHAY/45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SI5476DU-T1-E3 (MOSFET N-CH 60V 12A PPAK Подробнее)Vishay Siliconix161271
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SI5476DU-T1-E3от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SI5476DU-T1-E3от 7 дней