Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 30V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 31W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: PowerPAK® ChipFET Single • Встречается под наим.: SI5476DU-T1-E3DKR |
Архив документации | |
Поставщики «SI5476DU-T1-E3» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | SI5476DU-T1-E3 (yпаковка: QFN; год: 22+) | VISHAY/ | – | 45000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | SI5476DU-T1-E3 (MOSFET N-CH 60V 12A PPAK Подробнее) | Vishay Siliconix | – | 161271 | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | SI5476DU-T1-E3 | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | SI5476DU-T1-E3 | – | – | от 7 дней |
|