Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: TrenchFET® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 30V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 31W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: PowerPAK® ChipFET Single • Встречается под наим.: SI5476DU-T1-E3DKR |