Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.47W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 4-MICRO FOOT®CSP  •  Встречается под наим.: SI8409DB-T1-E1DKR