Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 40V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 20V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 104W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 10-PolarPAK® (S)  •  Встречается под наим.: SIE832DF-T1-E3TR