Производитель: Infineon Technologies  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 330mW  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23  •  Встречается под наим.: SMBTA06INDKR