Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Модуляция частот: 50MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3