Характеристики

STD8NM60N-1 — MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 70W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «STD8NM60N-1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STD8NM60N-1 (MOSFET N-CH 600V 7A IPAK Подробнее)STMicroelectronics–161600
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STD8NM60N-1 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 7A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–38972
ООО "Интегральные схемы"STD8NM60N-1––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STD8NM60N-1––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTD8NM60N-1 (Подробнее)STMicroelectronics–35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!STD8NM60N-1 (MOSFET N-CH 600V 7A IPAK Подробнее)STMicroelectronics0.2822$84354
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STD8NM60N-1 (yпаковка: TO251; год: 22+)ST–45000