TK6A60D(STA4,Q,M) | Электронный компонент

Характеристики

TK6A60D(STA4,Q,M) — MOSFET N-CH 600V 6A TO-220F
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Производитель: Toshiba • Вредные вещества:

RoHS

Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 40W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-10U1B • Встречается под наим.: TK6A60DSTA4QM

TK6A60D(STA4,Q,M) — MOSFET N-CH 600V 6A TO-220F
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Поставщики «TK6A60D(STA4,Q,M)»

Контактная информация

TK6A60D(STA4,Q,M) — MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FДискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Поставщики «TK6A60D(STA4,Q,M)»

Контактная информация

TK6A60D(STA4,Q,M) — MOSFET N-CH 600V 6A TO-220F
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)