Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 932A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2520nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1245A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: Y3-Li