Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 350mW  •  Модуляция частот: 125MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3