irfbc40l | Электронный компонент

Характеристики

IRFBC40L — MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Производитель: Vishay/Siliconix • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 3.1W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) • Встречается под наим.: *IRFBC40L

Архив документации

IRFBC40L - Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) =1.2ohm, Id=6.2A) • Дискретные сигналы
doc на сайте vishay.com

Возможные аналоги

STB6NK60Z-1, 2SK2777, SPI07N60C3, 2SK2544, SPBX2N60S5, SPBX4N60S5, SPDX2N60S5, SPUX2N60S5, SSI7N60A, STB7NB60 Вся информация »

Доска объявлений

Олег » Продам
Стабилитроны 1N4736A 6,8V 1W 500шт.2003г. 1N4738A 8,2V 1W 500шт.2003г. 1N4739A 9,1V 1W 500шт.2003г....

IRFBC40L — MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Поставщики «IRFBC40L»

Контактная информация

IRFBC40L — MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)

Поставщики «IRFBC40L»

Контактная информация

IRFBC40L — MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
Дискретные полупроводники » MOSFET транзисторы (одиночные)