Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V  •  Мощность макcимальная: 20Вт  •  Модуляция частот: 25MHz  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)  •  Встречается под наим.: MJD112-001OS