Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 40Вт  •  Модуляция частот: 10MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)  •  Встречается под наим.: MJE5730OS