Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 4A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V  •  Мощность макcимальная: 40Вт  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-225-3  •  Встречается под наим.: MJE803OS