Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 200mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10µA, 5V  •  Мощность макcимальная: 225mW  •  Модуляция частот: 700MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Встречается под наим.: MMBT6429LT1OSCT