Производитель: ON Semiconductor  •  Обратите внимание: Wire Change 20 aug 2008  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V  •  Напряжение (Vdss): 20В  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  •  Ток @ 25°C: 3.92A  •  Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V  •  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  •  Особенности: Logic Level Gate  •  Мощность макcимальная: 730мВт  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)  •  Встречается под наим.: NTMD6N02R2OS