Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SD2351T106V2SD2351T106VRohm SemiconductorTRANS NPN 50V 150MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1189T100R2SB1189T100RRohm SemiconductorTRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 700mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1694T1062SB1694T106Rohm SemiconductorTRANS PNP 30V 1A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2396KRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 3A TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 4V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220FN-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5001TLQ2SC5001TLQRohm SemiconductorTRANS NPN 20V 10A SOT-428
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2396JRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 3A TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 4V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220FN-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC857BT116BC857BT116Rohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 45V 1MA SST3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2212T1002SD2212T100Rohm SemiconductorTRANS DARL NPN 60V 2A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1182TLQ2SB1182TLQRohm SemiconductorTRANSISTOR PNP 32V 2A SOT-428
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2413KT146P2SC2413KT146PRohm SemiconductorTRANS NPN 25V 50MA SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4061KT146N2SC4061KT146NRohm SemiconductorTRANS NPN 300V 100MA SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1189T100Q2SB1189T100QRohm SemiconductorTRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 700mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB852KT146B2SB852KT146BRohm SemiconductorTRANS DARL PNP 32V 0.3A SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400µA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5868TLQ2SC5868TLQRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 0.5A TSMT3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMSTA56T146MMSTA56T146Rohm SemiconductorTRANS PNP 80V 500MA SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2670TL2SD2670TLRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 12V 3A TSMT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1689T1062SB1689T106Rohm SemiconductorTRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1690TL2SB1690TLRohm SemiconductorTRANS PNP 12V 2A TSMT 3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1782KT146Q2SD1782KT146QRohm SemiconductorTRANS NPN 80V 0.5A SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW31T116BCW31T116Rohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 32V 100MA SST3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC1741ASTPQ2SC1741ASTPQRohm SemiconductorTRANS NPN 50V 0.5A SPT
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SC-72-3, SPT
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5866TLQ2SC5866TLQRohm SemiconductorTRANSISTOR NPN 60V 2A TSMT3 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1383KT146B2SD1383KT146BRohm SemiconductorTRANS NPN 32V 0.3A SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400µA, 200mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2654TLV2SD2654TLVRohm SemiconductorTRANS NPN 50V 150MA SOT-416
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5659T2LP2SC5659T2LPRohm SemiconductorTRANS NPN 25V 50MA VMT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VMT3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 329330331332333334335 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте