Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SA1203-Y(TE12L,CFToshibaTRANSISTOR PNP 30V 1.5A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1972(TE6,F,M)ToshibaTRANSISTOR PNP 400V 0.5A LSTM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 35MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2235-O(TE6,F,M)2SC2235-O(TE6,F,M)ToshibaTRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1015-Y(TE2,F,T)ToshibaTRANS PNP 50V 150MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5200-O2SC5200-OToshibaTRANS NPN 230V 15A 2-21F1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-21F1A (TO-247 L)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1429-Y(TPF2,F)ToshibaTRANSISTOR PNP 80V 2A MSTM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA2120-O(Q)ToshibaTRANSISTOR PNP 200V 12A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 25MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2712-Y(T5L,F,T)2SC2712-Y(T5L,F,T)ToshibaTRANS NPN 50V 150MA S-MINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-mini
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1451A-Y(F)ToshibaTRANS PNP 50V 12A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 70MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2236-Y(TE6,F,M)2SC2236-Y(TE6,F,M)ToshibaTRANSISTOR NPN 30V 1.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB1375(F)ToshibaTRANSISTOR PNP 60V 3A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 9MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2705-Y(TE6,F,M)2SC2705-Y(TE6,F,M)ToshibaTRANSISTOR NPN 150V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1452A-Y(F)ToshibaTRANS PNP 50V 12A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5948-O(Q)ToshibaTRANSISTOR NPN 200V 12A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1163GRT5LFTToshibaTRANS PNP 120V 100MA SC-59
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1962-O2SA1962-OToshibaTRANS PNP -230V -15A 2-16C1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 130Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-16C1A (TO-247 N)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTRANSISTOR NPN 50V 3A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA2069(TE12L,F)ToshibaTRANSISTOR PNP 20V 1.5A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 17mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3803-Y(F)ToshibaTRANSISTOR NPN 45V 0.2A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4793(M)ToshibaTRANS NPN 230V 1A 2-10R1A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10R1A (TO-220 NIS)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2883-Y(TE12L,CFToshibaTRANSISTOR NPN 30V 1.5A SC-62
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 120MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD1220-Y(T6L1,NQ)ToshibaTRANSISTOR NPN 150V 1.5A PW MOLD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PW-Mold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA1091-R(TPE2,F)ToshibaTRANSISTOR PNP 300V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 60MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD2462(TP,Q)ToshibaTRANSISTOR NPN 60V 3A TPS
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 200mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Модуляция частот: 18MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC2482(F,M)2SC2482(F,M)ToshibaTRANSISTOR NPN 300V 0.1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 352353354355356357358359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте