Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
MPS750

MPS750 — TRANS PNP SS 40V HI CURRENT TO92

ПроизводительON Semiconductor
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)40В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
Ток коллектора (макс)2A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 50mA, 2V
Мощность макcимальная625mW
Модуляция частот75MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Встречается под наим.MPS750OS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MPS750RLRAGMPS750RLRAGON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 2A 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS750GMPS750GON SemiconductorTRANS PNP SS 40V HI CURRENT TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS750RLRAMPS750RLRAON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 2A 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS750RLRPGMPS750RLRPGON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 2A 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MPS650ZL1MPS650ZL1ON SemiconductorTRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS751ZL1GMPS751ZL1GON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 2A 60V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS650RLRAMPS650RLRAON SemiconductorTRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS650GMPS650GON SemiconductorTRANS NPN SS 2A 40V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS751RLRAON SemiconductorTRANS PNP SS 60V HI CURRENT TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS751ZL1MPS751ZL1ON SemiconductorTRANSISTOR PNP GP 2A 60V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MPS750» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте