Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MPS750 | ON Semiconductor | TRANS PNP SS 40V HI CURRENT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MPS750G | ON Semiconductor | TRANS PNP SS 40V HI CURRENT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MPS750RLRA | ON Semiconductor | TRANSISTOR PNP GP 2A 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MPS750RLRPG | ON Semiconductor | TRANSISTOR PNP GP 2A 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MPS650ZL1 | ON Semiconductor | TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MPS751ZL1G | ON Semiconductor | TRANSISTOR PNP GP 2A 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MPS650RLRA | ON Semiconductor | TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MPS650G | ON Semiconductor | TRANS NPN SS 2A 40V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MPS751RLRA | ON Semiconductor | TRANS PNP SS 60V HI CURRENT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MPS751ZL1 | ON Semiconductor | TRANSISTOR PNP GP 2A 60V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 75MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |