Производитель: ON Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V  •  Мощность макcимальная: 1Вт  •  Модуляция частот: 1GHz  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226