Производитель: Diodes Inc  •  Обратите внимание: Encapsulate Change 09 july 2007  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Модуляция частот: 100MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-523  •  Встречается под наим.: BC857AT, BC857AT-ND, BC857ATCT