Характеристики

PBRP123ES,126 — TRANS PNP W/RES 50V TO-92

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  •  Ток коллектора (макс): 800mA  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: PBRP123ES AMO, PBRP123ES AMO-ND

Поставщики «PBRP123ES,126»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
PBRP123ES,126 (Подробнее)NXP Semiconductors35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
PBRP123ES,126 (Оригинальный и наличный и новый)NXP4500
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
PBRP123ES,126 (TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Подробнее)NXP USA Inc.17174
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
PBRP123ES,126 (микросхема интегральная электронная TRANS PNP W/RES 50V TO-92 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors34632
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
PBRP123ES,126от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
PBRP123ES,126от 7 дней