Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  •  Ток коллектора (макс): 800mA  •  Мощность макcимальная: 500мВт  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: PBRP123ES AMO, PBRP123ES AMO-ND