Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

STU11NM60ND — MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: FDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 90W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

   


Производители
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «STU11NM60ND»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STU11NM60ND
микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 10A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
STMicroelectronics 39090
ООО "АСПЕКТ"STU11NM60ND от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"STU11NM60ND от 7 дней


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic0  0 Скрыть
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd0  0 Скрыть
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited0  0 Скрыть
ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
«STU11NM60ND» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2170 отечественных и 777 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать