Характеристики | Производитель: ON Semiconductor • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 4.7K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA • Мощность макcимальная: 338mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |