Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Мощность макcимальная: 338mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236